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Hyundai, Kia e Infineon firman un acuerdo de suministro de semiconductores de potencia
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Hyundai, Kia e Infineon firman un acuerdo de suministro de semiconductores de potencia

Hyundai Kia Infineon Signing
Infineon construirá y reservará capacidad de fabricación para suministrar módulos y chips de potencia de SiC y Si a Hyundai/Kia hasta 2030. Foto: Hyundai
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Hyundai Motor Company, Kia Corporation e Infineon Technologies han firmado un acuerdo plurianual de suministro de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) y silicio (Si). Infineon construirá y reservará capacidad de fabricación para suministrar módulos y chips de potencia de SiC y Si a Hyundai/Kia hasta 2030. Hyundai/Kia apoyará la creación y reserva de capacidad con contribuciones financieras.

 

"Infineon es un valioso socio estratégico, que cuenta con una sólida capacidad de producción y una gran destreza tecnológica en el mercado de los semiconductores de potencia", declaró Heung Soo Kim, vicepresidente ejecutivo y director de la Oficina de Estrategia Global (GSO) de Hyundai Motor Group. "Esta asociación no sólo permite a Hyundai Motor y Kia estabilizar su suministro de semiconductores, sino que también nos posiciona para consolidar nuestro liderazgo en el mercado mundial de vehículos eléctricos, respaldado por nuestras competitivas líneas de productos".

 

"El coche del futuro será limpio, seguro e inteligente, y los semiconductores están en el centro de esta transformación. Como socio de confianza, estamos orgullosos de avanzar en nuestra colaboración a largo plazo con Hyundai/Kia", ha declarado Peter Schiefer, presidente de la División de Automoción de Infineon. "Aportamos productos premium de alta calidad, nuestro conocimiento del sistema y comprensión de la aplicación combinados con inversiones continuas en capacidad de fabricación para hacer frente a la creciente demanda de electrónica de potencia para automoción". Los semiconductores de potencia de Infineon son facilitadores clave para la transición a la electromovilidad. Esta transición dará lugar a un fuerte crecimiento del mercado de semiconductores de potencia, especialmente los basados en materiales de banda prohibida ancha como el SiC. 

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